BFG325W/XR,115 | NXP Semiconductors BFG325W/XR,115 | BFG325W/XR,115 Inventory, Best Pricing

BFG325W/XR,115

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Numéro d'article	BFG325W/XR,115
LIXINC Part #	BFG325W/XR,115
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFG325W/XR,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFG325W/XR,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFG325W/XR,115
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	6V
fréquence - transition:	14GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	1.1dB @ 2GHz
gagner:	18.3dB
puissance - maximum:	210mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	60 @ 15mA, 3V
courant - collecteur (ic) (max):	35mA
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-82A, SOT-343
paquet de dispositif de fournisseur:	CMPAK-4