BFG 19S E6327 | IR (Infineon Technologies) BFG 19S E6327 | BFG 19S E6327 Inventory, Best Pricing

BFG 19S E6327

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Numéro d'article	BFG 19S E6327
LIXINC Part #	BFG 19S E6327
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFG 19S E6327 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

BFG 19S E6327 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFG 19S E6327
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	15V
fréquence - transition:	5.5GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
gagner:	14dB ~ 8.5dB
puissance - maximum:	1W
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 70mA, 8V
courant - collecteur (ic) (max):	210mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT223-4