NSVF6001SB6T1G

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Numéro d'article NSVF6001SB6T1G
LIXINC Part # NSVF6001SB6T1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - rf
Description RF TRANS NPN 0.1A 12V MCPH6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSVF6001SB6T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSVF6001SB6T1G Caractéristiques

Numéro d'article:NSVF6001SB6T1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):12V
fréquence - transition:6.7GHz
facteur de bruit (db typ @ f):1.1dB @ 1GHz
gagner:11dB
puissance - maximum:800mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:90 @ 30mA, 5V
courant - collecteur (ic) (max):100mA
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
paquet de dispositif de fournisseur:6-CPH

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