BLF6G10LS-160RN112 | Rochester Electronics BLF6G10LS-160RN112 | BLF6G10LS-160RN112 Inventory, Best Pricing

BLF6G10LS-160RN112

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Numéro d'article	BLF6G10LS-160RN112
LIXINC Part #	BLF6G10LS-160RN112
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF POWER TRANSISTORS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BLF6G10LS-160RN112 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BLF6G10LS-160RN112 Caractéristiques

Numéro d'article:	BLF6G10LS-160RN112
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	-
fréquence - transition:	-
facteur de bruit (db typ @ f):	-
gagner:	-
puissance - maximum:	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	-
courant - collecteur (ic) (max):	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$81.82000	$81.82

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