NESG2101M05-T1-A | Rochester Electronics NESG2101M05-T1-A | NESG2101M05-T1-A Inventory, Best Pricing

NESG2101M05-T1-A

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Numéro d'article	NESG2101M05-T1-A
LIXINC Part #	NESG2101M05-T1-A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	NESG2101 - NPN SIGE RF TRANSISTO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NESG2101M05-T1-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NESG2101M05-T1-A Caractéristiques

Numéro d'article:	NESG2101M05-T1-A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	5V
fréquence - transition:	17GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
gagner:	11dB ~ 19dB
puissance - maximum:	500mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	130 @ 15mA, 2V
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-343F
paquet de dispositif de fournisseur:	M05

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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