BFS 17P E8211 | IR (Infineon Technologies) BFS 17P E8211 | BFS 17P E8211 Inventory, Best Pricing

BFS 17P E8211

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Numéro d'article	BFS 17P E8211
LIXINC Part #	BFS 17P E8211
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - rf
Description	RF TRANS NPN SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BFS 17P E8211 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BFS 17P E8211 Caractéristiques

Numéro d'article:	BFS 17P E8211
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - rf
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	*
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
tension - claquage collecteur émetteur (max):	15V
fréquence - transition:	1.4GHz
facteur de bruit (db typ @ f):	3.5dB @ 800MHz
gagner:	-
puissance - maximum:	280mW
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	40 @ 2mA, 1V
courant - collecteur (ic) (max):	25mA
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-SOT23-3

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