RN1421TE85LF

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Numéro d'article RN1421TE85LF
LIXINC Part # RN1421TE85LF
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RN1421TE85LF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RN1421TE85LF Caractéristiques

Numéro d'article:RN1421TE85LF
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):800 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):1 kOhms
résistance - base émettrice (r2):1 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 100mA, 1V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 2mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:300 MHz
puissance - maximum:200 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:S-Mini

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