RN2108MFV,L3F | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

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Numéro d'article	RN2108MFV,L3F
LIXINC Part #	RN2108MFV,L3F
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RN2108MFV,L3F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RN2108MFV,L3F Caractéristiques

Numéro d'article:	RN2108MFV,L3F
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	22 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	150 mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:	VESM