FJN3312RTA | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJN3312RTA

FJN3312RTA

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Numéro d'article	FJN3312RTA
LIXINC Part #	FJN3312RTA
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FJN3312RTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FJN3312RTA Caractéristiques

Numéro d'article:	FJN3312RTA
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	40 V
résistance - base (r1):	47 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	100 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
fréquence - transition:	250 MHz
puissance - maximum:	300 mW
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92-3