FJNS4212RTA

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Numéro d'article FJNS4212RTA
LIXINC Part # FJNS4212RTA
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FJNS4212RTA Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FJNS4212RTA Caractéristiques

Numéro d'article:FJNS4212RTA
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Box (TB)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):40 V
résistance - base (r1):47 kOhms
résistance - base émettrice (r2):-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
fréquence - transition:200 MHz
puissance - maximum:300 mW
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 Short Body
paquet de dispositif de fournisseur:TO-92S

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