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DTB113ZSTP

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Numéro d'article	DTB113ZSTP
LIXINC Part #	DTB113ZSTP
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	DTB113ZSTP Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

DTB113ZSTP Caractéristiques

Numéro d'article:	DTB113ZSTP
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Box (TB)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	500 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	1 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	10 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	56 @ 50mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 2.5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	200 MHz
puissance - maximum:	300 mW
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	SC-72 Formed Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	SPT