NSVDTC123JM3T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSVDTC123JM3T5G

NSVDTC123JM3T5G

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Numéro d'article	NSVDTC123JM3T5G
LIXINC Part #	NSVDTC123JM3T5G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description	SOT-723 BIAS RESISTOR
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NSVDTC123JM3T5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NSVDTC123JM3T5G Caractéristiques

Numéro d'article:	NSVDTC123JM3T5G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
résistance - base (r1):	2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2):	47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:	250mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	500nA
fréquence - transition:	-
puissance - maximum:	260 mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-723

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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