NSVDTA123JM3T5G

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Numéro d'article NSVDTA123JM3T5G
LIXINC Part # NSVDTA123JM3T5G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description SS SOT723 BR XSTR PNP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSVDTA123JM3T5G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSVDTA123JM3T5G Caractéristiques

Numéro d'article:NSVDTA123JM3T5G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:Rochester Electronics
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):2.2 kOhms
résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:260 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-723

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