RN1107MFV,L3F(CT

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Numéro d'article RN1107MFV,L3F(CT
LIXINC Part # RN1107MFV,L3F(CT
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Description TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO RN1107MFV,L3F(CT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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RN1107MFV,L3F(CT Caractéristiques

Numéro d'article:RN1107MFV,L3F(CT
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):10 kOhms
résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:300mV @ 500µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:150 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:VESM

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