NSV1C200MZ4T1G

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Numéro d'article NSV1C200MZ4T1G
LIXINC Part # NSV1C200MZ4T1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS PNP 100V 2A SOT223
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSV1C200MZ4T1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NSV1C200MZ4T1G Caractéristiques

Numéro d'article:NSV1C200MZ4T1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:220mV @ 200mA, 2A
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 500mA, 2V
puissance - maximum:800 mW
fréquence - transition:120MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-261-4, TO-261AA
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-223

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