MJ11012G

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Numéro d'article MJ11012G
LIXINC Part # MJ11012G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN DARL 60V 30A TO204
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MJ11012G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJ11012G Caractéristiques

Numéro d'article:MJ11012G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):30 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:4V @ 300mA, 30A
courant - coupure collecteur (max):1mA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 20A, 5V
puissance - maximum:200 W
fréquence - transition:4MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-204AA, TO-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-204 (TO-3)

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