2SA2012-TD-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E

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Numéro d'article	2SA2012-TD-E
LIXINC Part #	2SA2012-TD-E
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS PNP 30V 5A PCP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SA2012-TD-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SA2012-TD-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SA2012-TD-E
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP
courant - collecteur (ic) (max):	5 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	30 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	210mV @ 30mA, 1.5A
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	200 @ 500mA, 2V
puissance - maximum:	3.5 W
fréquence - transition:	420MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-243AA
paquet de dispositif de fournisseur:	PCP