2SA1955FVBTPL3Z

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Numéro d'article 2SA1955FVBTPL3Z
LIXINC Part # 2SA1955FVBTPL3Z
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SA1955FVBTPL3Z Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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2SA1955FVBTPL3Z Caractéristiques

Numéro d'article:2SA1955FVBTPL3Z
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):400 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):12 V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 200mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 10mA, 2V
puissance - maximum:100 mW
fréquence - transition:130MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-723
paquet de dispositif de fournisseur:VESM

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