MJD31C1G

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Numéro d'article MJD31C1G
LIXINC Part # MJD31C1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN 100V 3A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MJD31C1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJD31C1G Caractéristiques

Numéro d'article:MJD31C1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):3 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.2V @ 375mA, 3A
courant - coupure collecteur (max):50µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:10 @ 3A, 4V
puissance - maximum:1.56 W
fréquence - transition:3MHz
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK

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