NJVMJD45H11D3T4G

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Numéro d'article NJVMJD45H11D3T4G
LIXINC Part # NJVMJD45H11D3T4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NJVMJD45H11D3T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NJVMJD45H11D3T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NJVMJD45H11D3T4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):8 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):80 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1V @ 400mA, 8A
courant - coupure collecteur (max):1µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 4A, 1V
puissance - maximum:20 W
fréquence - transition:90MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK

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