2N2907AE4

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Numéro d'article 2N2907AE4
LIXINC Part # 2N2907AE4
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2N2907AE4 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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2N2907AE4 Caractéristiques

Numéro d'article:2N2907AE4
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):600 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.6V @ 50mA, 500mA
courant - coupure collecteur (max):10µA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 150mA, 10V
puissance - maximum:500 mW
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
paquet de dispositif de fournisseur:TO-18

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