BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | Rochester Electronics BSM200GA170DN2SE325HOSA1 | BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Inventory, Best Pricing

BSM200GA170DN2SE325HOSA1

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Numéro d'article	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
LIXINC Part #	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	IGBT MODULE
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BSM200GA170DN2SE325HOSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSM200GA170DN2SE325HOSA1
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
courant - collecteur (ic) (max):	-
tension - claquage collecteur émetteur (max):	-
vce saturation (max) @ ib, ic:	-
courant - coupure collecteur (max):	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	-
puissance - maximum:	-
fréquence - transition:	-
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-