2SD1223(TE16L1,NQ)

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Numéro d'article 2SD1223(TE16L1,NQ)
LIXINC Part # 2SD1223(TE16L1,NQ)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN DARL 80V 4A PW MOLD
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SD1223(TE16L1,NQ) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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2SD1223(TE16L1,NQ) Caractéristiques

Numéro d'article:2SD1223(TE16L1,NQ)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:*
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):4 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):80 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.5V @ 6mA, 3A
courant - coupure collecteur (max):20µA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 3A, 2V
puissance - maximum:1 W
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:PW-MOLD

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