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NJVMJD117T4G

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Numéro d'article	NJVMJD117T4G
LIXINC Part #	NJVMJD117T4G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, PN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NJVMJD117T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NJVMJD117T4G Caractéristiques

Numéro d'article:	NJVMJD117T4G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	PNP - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
courant - coupure collecteur (max):	20µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
puissance - maximum:	1.75 W
fréquence - transition:	25MHz
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK