NJVMJD3055T4G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NJVMJD3055T4G

NJVMJD3055T4G

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Numéro d'article	NJVMJD3055T4G
LIXINC Part #	NJVMJD3055T4G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN 60V 10A DPAK-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NJVMJD3055T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NJVMJD3055T4G Caractéristiques

Numéro d'article:	NJVMJD3055T4G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN
courant - collecteur (ic) (max):	10 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	8V @ 3.3A, 10A
courant - coupure collecteur (max):	50µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 4A, 4V
puissance - maximum:	1.75 W
fréquence - transition:	2MHz
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK