2N6667

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Numéro d'article 2N6667
LIXINC Part # 2N6667
Fabricant NTE Electronics, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description T-PNP SI-GEN PUR AMP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2N6667 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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2N6667 Caractéristiques

Numéro d'article:2N6667
Marque:NTE Electronics, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:NTE Electronics, Inc.
série:-
emballer:Bag
état de la pièce:Active
à transistors:PNP - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):10 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:3V @ 100mA, 10A
courant - coupure collecteur (max):1mA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 5A, 3V
puissance - maximum:2 W
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220AB

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