KSD2012GTU

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Numéro d'article KSD2012GTU
LIXINC Part # KSD2012GTU
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO KSD2012GTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

KSD2012GTU Caractéristiques

Numéro d'article:KSD2012GTU
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):3 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1V @ 200mA, 2A
courant - coupure collecteur (max):100µA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:150 @ 500mA, 5V
puissance - maximum:25 W
fréquence - transition:3MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220F

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