2N5550

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Numéro d'article 2N5550
LIXINC Part # 2N5550
Fabricant NTE Electronics, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description T-NPN SI- HIV AMP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2N5550 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

2N5550 Caractéristiques

Numéro d'article:2N5550
Marque:NTE Electronics, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:NTE Electronics, Inc.
série:-
emballer:Bag
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):600 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):140 V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:60 @ 10mA, 5V
puissance - maximum:625 mW
fréquence - transition:300MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
paquet de dispositif de fournisseur:TO-92-3

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