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2SC2229(TE6SAN1F,M

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Numéro d'article	2SC2229(TE6SAN1F,M
LIXINC Part #	2SC2229(TE6SAN1F,M
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SC2229(TE6SAN1F,M Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SC2229(TE6SAN1F,M Caractéristiques

Numéro d'article:	2SC2229(TE6SAN1F,M
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
courant - collecteur (ic) (max):	50 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	150 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	500mV @ 1mA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 10mA, 5V
puissance - maximum:	800 mW
fréquence - transition:	120MHz
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-92MOD