2SB1457(TE6,F,M)

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Numéro d'article 2SB1457(TE6,F,M)
LIXINC Part # 2SB1457(TE6,F,M)
Fabricant Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 2SB1457(TE6,F,M) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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2SB1457(TE6,F,M) Caractéristiques

Numéro d'article:2SB1457(TE6,F,M)
Marque:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.5V @ 1mA, 1A
courant - coupure collecteur (max):10µA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 1A, 2V
puissance - maximum:900 mW
fréquence - transition:50MHz
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
paquet de dispositif de fournisseur:TO-92MOD

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