FJBE2150DTU | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FJBE2150DTU

FJBE2150DTU

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Numéro d'article	FJBE2150DTU
LIXINC Part #	FJBE2150DTU
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FJBE2150DTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FJBE2150DTU Caractéristiques

Numéro d'article:	FJBE2150DTU
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	ESBC™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
courant - collecteur (ic) (max):	2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	800 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	250mV @ 330mA, 1A
courant - coupure collecteur (max):	100µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 400mA, 3V
puissance - maximum:	110 W
fréquence - transition:	5MHz
température de fonctionnement:	-55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
paquet de dispositif de fournisseur:	D²PAK (TO-263)