MMBT6517LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBT6517LT1G

MMBT6517LT1G

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Numéro d'article	MMBT6517LT1G
LIXINC Part #	MMBT6517LT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MMBT6517LT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 01 - Jul 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MMBT6517LT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	MMBT6517LT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	NPN
courant - collecteur (ic) (max):	100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	350 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	1V @ 5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):	50nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	20 @ 50mA, 10V
puissance - maximum:	225 mW
fréquence - transition:	200MHz
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3 (TO-236)