2SA1162S-GR,LF(D | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1162S-GR,LF(D

2SA1162S-GR,LF(D

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Numéro d'article	2SA1162S-GR,LF(D
LIXINC Part #	2SA1162S-GR,LF(D
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SA1162S-GR,LF(D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

2SA1162S-GR,LF(D Caractéristiques

Numéro d'article:	2SA1162S-GR,LF(D
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	PNP
courant - collecteur (ic) (max):	150 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 10mA, 100mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	70 @ 2mA, 6V
puissance - maximum:	150 mW
fréquence - transition:	80MHz
température de fonctionnement:	125°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	S-Mini