MJE801STU

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Numéro d'article MJE801STU
LIXINC Part # MJE801STU
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MJE801STU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJE801STU Caractéristiques

Numéro d'article:MJE801STU
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):4 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:2.8V @ 40mA, 2A
courant - coupure collecteur (max):100µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 2A, 3V
puissance - maximum:40 W
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-225AA, TO-126-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-126-3

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