NTMD6P02R2

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Numéro d'article NTMD6P02R2
LIXINC Part # NTMD6P02R2
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description P-CHANNEL MOSFET
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTMD6P02R2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMD6P02R2 Caractéristiques

Numéro d'article:NTMD6P02R2
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type fet:2 P-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.8A (Ta)
rds sur (max) @ id, vgs:33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:35nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1700pF @ 16V
puissance - maximum:750mW (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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