AUIRF7341QTR

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Numéro d'article AUIRF7341QTR
LIXINC Part # AUIRF7341QTR
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AUIRF7341QTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AUIRF7341QTR Caractéristiques

Numéro d'article:AUIRF7341QTR
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):55V
courant - drain continu (id) @ 25°c:5.1A
rds sur (max) @ id, vgs:50mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:44nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:780pF @ 25V
puissance - maximum:2.4W
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SO

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