FDMD8900 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDMD8900

FDMD8900

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Numéro d'article	FDMD8900
LIXINC Part #	FDMD8900
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDMD8900 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDMD8900 Caractéristiques

Numéro d'article:	FDMD8900
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Standard
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	19A, 17A
rds sur (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	35nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2605pF @ 15V
puissance - maximum:	2.1W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	12-PowerWDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	12-Power3.3x5