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NVDD5894NLT4G

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Numéro d'article	NVDD5894NLT4G
LIXINC Part #	NVDD5894NLT4G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	N-CHANNEL, MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVDD5894NLT4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

NVDD5894NLT4G Caractéristiques

Numéro d'article:	NVDD5894NLT4G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonction fet:	Standard
tension drain-source (vdss):	40V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	14A (Ta), 64A (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	41nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2103pF @ 25V
puissance - maximum:	3.8W (Ta), 75W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK-5