FDMD85100

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Numéro d'article FDMD85100
LIXINC Part # FDMD85100
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 100V
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDMD85100 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMD85100 Caractéristiques

Numéro d'article:FDMD85100
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:PowerTrench®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
fonction fet:Standard
tension drain-source (vdss):100V
courant - drain continu (id) @ 25°c:10.4A
rds sur (max) @ id, vgs:9.9mOhm @ 10.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:31nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:2230pF @ 50V
puissance - maximum:2.2W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-PowerWDFN
paquet de dispositif de fournisseur:8-Power 5x6

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