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Numéro d'article | FDMD85100 |
LIXINC Part # | FDMD85100 |
Fabricant | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices |
Description | MOSFET 2N-CH 100V |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | FDMD85100 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | FDMD85100 |
Marque: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - matrices |
Fabricant: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
série: | PowerTrench® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
fonction fet: | Standard |
tension drain-source (vdss): | 100V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 10.4A |
rds sur (max) @ id, vgs: | 9.9mOhm @ 10.4A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 31nC @ 10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2230pF @ 50V |
puissance - maximum: | 2.2W |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet / caisse: | 8-PowerWDFN |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-Power 5x6 |
FDJ1027P | P-CHANNEL POWER MOSFET | 284082 Plus sur la commande |
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SI6975DQ-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | 986 Plus sur la commande |
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SQJQ960EL-T1_GE3 | MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8 | 1817 Plus sur la commande |
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SQ4920EY-T1_BE3 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO | 3395 Plus sur la commande |
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SI7942DP-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 | 4169 Plus sur la commande |
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FDG1024NZ | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 | 970 Plus sur la commande |
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DMC3400SDW-7 | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | 843 Plus sur la commande |
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EMH2411R-TL-H | POWER, N-CHANNEL, MOSFET | 33452 Plus sur la commande |
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EPC2100 | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID | 1300 Plus sur la commande |
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NTUD3128NT5G | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 4851 Plus sur la commande |
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DMG6898LSDQ-13 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | 49603448 Plus sur la commande |
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IRF7319PBF | P-CHANNEL POWER MOSFET | 802 Plus sur la commande |
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ECH8653-TL-H | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 6821 Plus sur la commande |
En stock | 10909 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.11000 | $3.11 |
3000 | $1.62169 | $4865.07 |
6000 | $1.56073 | $9364.38 |
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