SQ1922EEH-T1_GE3

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Numéro d'article SQ1922EEH-T1_GE3
LIXINC Part # SQ1922EEH-T1_GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SQ1922EEH-T1_GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SQ1922EEH-T1_GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SQ1922EEH-T1_GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Dual)
fonction fet:Standard
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:840mA (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:350mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:1.2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:50pF @ 10V
puissance - maximum:1.5W
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:SC-70-6

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