SIZ902DT-T1-GE3

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Numéro d'article SIZ902DT-T1-GE3
LIXINC Part # SIZ902DT-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SIZ902DT-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SIZ902DT-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SIZ902DT-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:2 N-Channel (Half Bridge)
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:16A
rds sur (max) @ id, vgs:12mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:21nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:790pF @ 15V
puissance - maximum:29W, 66W
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-PowerWDFN
paquet de dispositif de fournisseur:8-PowerPair® (6x5)

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