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EPC2101ENGRT

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Numéro d'article	EPC2101ENGRT
LIXINC Part #	EPC2101ENGRT
Fabricant	EPC
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EPC2101ENGRT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

EPC2101ENGRT Caractéristiques

Numéro d'article:	EPC2101ENGRT
Marque:	EPC
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	EPC
série:	*
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
fonction fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	60V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.5A, 38A
rds sur (max) @ id, vgs:	11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 2mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	2.7nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	300pF @ 30V
puissance - maximum:	-
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	Die
paquet de dispositif de fournisseur:	Die