TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPC8212-H(TE12LQ,M | TPC8212-H(TE12LQ,M Inventory, Best Pricing

TPC8212-H(TE12LQ,M

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Numéro d'article	TPC8212-H(TE12LQ,M
LIXINC Part #	TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TPC8212-H(TE12LQ,M Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

TPC8212-H(TE12LQ,M Caractéristiques

Numéro d'article:	TPC8212-H(TE12LQ,M
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A
rds sur (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.3V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	840pF @ 10V
puissance - maximum:	450mW
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOP (5.5x6.0)