SI4200DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SI4200DY-T1-GE3 | SI4200DY-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SI4200DY-T1-GE3

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Numéro d'article	SI4200DY-T1-GE3
LIXINC Part #	SI4200DY-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SI4200DY-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SI4200DY-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SI4200DY-T1-GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	25V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8A
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	415pF @ 13V
puissance - maximum:	2.8W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO