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PMWD19UN,518

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Numéro d'article	PMWD19UN,518
LIXINC Part #	PMWD19UN,518
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	PMWD19UN,518 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

PMWD19UN,518 Caractéristiques

Numéro d'article:	PMWD19UN,518
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.6A
rds sur (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	700mV @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1478pF @ 10V
puissance - maximum:	2.3W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-TSSOP