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BSO203PNTMA1

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Numéro d'article	BSO203PNTMA1
LIXINC Part #	BSO203PNTMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSO203PNTMA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSO203PNTMA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSO203PNTMA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 P-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.2A
rds sur (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 8.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	48.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2242pF @ 15V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	P-DSO-8