MVDF2C03HDR2G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

MVDF2C03HDR2G

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Numéro d'article	MVDF2C03HDR2G
LIXINC Part #	MVDF2C03HDR2G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MVDF2C03HDR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MVDF2C03HDR2G Caractéristiques

Numéro d'article:	MVDF2C03HDR2G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N and P-Channel Complementary
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	4.1A, 3A
rds sur (max) @ id, vgs:	70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	630pF @ 24V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SOIC