SI1563DH-T1-GE3

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Numéro d'article SI1563DH-T1-GE3
LIXINC Part # SI1563DH-T1-GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - matrices
Description MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SI1563DH-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SI1563DH-T1-GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SI1563DH-T1-GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Obsolete
type fet:N and P-Channel
fonction fet:Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:1.13A, 880mA
rds sur (max) @ id, vgs:280mOhm @ 1.13A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:1V @ 100µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:2nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:-
puissance - maximum:570mW
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:SC-70-6 (SOT-363)

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