FDG6303N_G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDG6303N_G

FDG6303N_G

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Numéro d'article	FDG6303N_G
LIXINC Part #	FDG6303N_G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - matrices
Description	INTEGRATED CIRCUIT
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDG6303N_G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FDG6303N_G Caractéristiques

Numéro d'article:	FDG6303N_G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - matrices
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	25V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	500mA
rds sur (max) @ id, vgs:	450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	2.3nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	50pF @ 10V
puissance - maximum:	300mW
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
paquet de dispositif de fournisseur:	SC-88 (SC-70-6)