MMRF1012NR1 | NXP Semiconductors MMRF1012NR1 | MMRF1012NR1 Inventory, Best Pricing

MMRF1012NR1

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Numéro d'article	MMRF1012NR1
LIXINC Part #	MMRF1012NR1
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	FET RF 120V 220MHZ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MMRF1012NR1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 11 - Sep 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MMRF1012NR1 Caractéristiques

Numéro d'article:	MMRF1012NR1
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Last Time Buy
à transistors:	LDMOS
fréquence:	220MHz
gagner:	23.9dB
tension - test:	50 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	30 mA
puissance - sortie:	10W
tension - nominale:	120 V
paquet / caisse:	TO-270-2
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-270-2

CE3512K2	RF FET 4V 12GHZ 4MICROX	1725 Plus sur la commande
ARF1501	MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1	818 Plus sur la commande
2N5245	SMALL SIGNAL FET	6129 Plus sur la commande
STAC2942FW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	946 Plus sur la commande
CPH6602-TL-E	NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES	3939 Plus sur la commande
WP2806015UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ,15W	969 Plus sur la commande
MRF150	FET RF 125V 150MHZ 211-11	927 Plus sur la commande
MRF1550NT1	RF VERY HIGH FREQUENCY BAND, N-C	906 Plus sur la commande
BF909,215	MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143	3896 Plus sur la commande
CPH6320-TL-E	PCH 1.8V DRIVE SERIES	60889 Plus sur la commande
BLA8G1011LS-300U	RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B	840 Plus sur la commande
UF28100H	MOSFET 100W 28V 100-500MHZ	947 Plus sur la commande
CGH21240F	GAN HEMT 28V 1.8-2.1GHZ	904 Plus sur la commande